重要
EMS SERIESはSTD SERIESと統合されました。
EMC用途RF POWER AMPをお探しの場合は
をご覧ください。
 

    伝導イミュニティ試験／試験規格：IEC61000-4-6

  10kHz～80MHz

Model
Gain
Output Power
(P1dB)
Size(W×D×H/mm)
Device
DataSheet
 ZEA4747-10K80M
+47dB
50Watt/CW
480×500×132.5
MOS-FET
 ZEA4949-10K80M
+49dB
80Watt/CW
480×500×132.5
MOS-FET
 ZEA5252-10K80M
+52dB
130Watt/CW
480×600×132.5
MOS-FET
 

  100kHz～80MHz

Model
Gain
Output Power
(P1dB)
Size(W×D×H/mm)
Device
DataSheet
 ZEA4747-100K80M
+47dB
50Watt/CW
480×500×132.5
MOS-FET
 ZEA4949-100K80M
+49dB
80Watt/CW
480×500×132.5
MOS-FET
 ZEA5252-100K80M
+52dB
130Watt/CW
480×600×132.5
MOS-FET
 

  10kHz～250MHz

Model
Gain
Output Power
(P1dB)
Size(W×D×H/mm)
Device
DataSheet
 ZEA4646-10K250M
+46dB
40Watt/CW
480×500×132.5
MOS-FET
 ZEA4949-10K250M
+49dB
70Watt/CW
480×500×132.5
MOS-FET
 ZEA5151-10K250M
+51dB
110Watt/CW
480×600×132.5
MOS-FET
 

  100kHz～250MHz

Model
Gain
Output Power
(P1dB)
Size(W×D×H/mm)
Device
DataSheet
 ZEA4646-100K250M
+46dB
40Watt/CW
480×500×132.5
MOS-FET
 ZEA4949-100K250M
+49dB
70Watt/CW
480×500×132.5
MOS-FET
 ZEA5151-100K250M
+51dB
110Watt/CW
480×600×132.5
MOS-FET
 


    放射電磁界試験／試験規格：IEC61000-4-2
 
  80MHz～1GHz

Model
Gain
Output Power
(P1dB)
Size(W×D×H/mm)
Device
DataSheet
 ZEA5050-80M1G
+50dB
100Watt/CW
480×500×177
GaAs-FET
 ZEA5353-80M1G
+53dB
180Watt/CW
PA：480×600×177
PS：480×600×88
GaAs-FET
 ZEA5757-80M1G
+57dB
500Watt/CW
ASK
GaAs-FET
 

  1GHz～2700MHz
 
Model
Gain
Output Power
(P1dB)
Size(W×D×H/mm)
Device
DataSheet
 ZEA4343-1G2700M
+43dB
20Watt/CW
480×500×132.5
GaN-HEMT
 ZEA4545-1G2700M
+45dB
30Watt/CW
480×500×132.5
GaN-HEMT
 ZEA4747-1G2700M
+47dB
50Watt/CW
480×500×132.5
GaN-HEMT
 ZEA4949-1G2700M
+49dB
80Watt/CW
480×500×132.5
GaN-HEMT
 ZEA5151-1G2700M
+51dB
120Watt/CW
480×600×177
GaN-HEMT