重要
EMS SERIESはSTD SERIESと統合されました。
EMC用途RF POWER AMPをお探しの場合は
をご覧ください。
 

    伝導イミュニティ試験（BCI）／試験規格：ISO11452-4

  10kHz～400MHz

Model
Gain
Output Power
(P1dB)
Size(W×D×H/mm)
Device
DataSheet
 ZEA4848-10K400M
+48dB
60Watt/CW
480×600×132.5
MOS-FET
 ZEA5353-10K400M
+53dB
180Watt/CW
PA：480×650×221.5
PS：480×650×132.5
MOS-FET
 

  100kHz～400MHz

Model
Gain
Output Power
(P1dB)
Size(W×D×H/mm)
Device
DataSheet
 ZEA4848-100K400M
+48dB
60Watt/CW
480×600×132.5
MOS-FET
 ZEA5353-100K400M
+53dB
180Watt/CW
PA：480×650×221.5
PS：480×650×132.5
MOS-FET
 

  400MHz～1GHz

Model
Gain
Output Power
(P1dB)
Size(W×D×H/mm)
Device
DataSheet
 ZEA4343-400M1G
+43dB
20Watt/CW
480×500×132.5
GaAs-FET
 ZEA4646-400M1G
+46dB
40Watt/CW
480×500×132.5
GaAs-FET
 ZEA4949-400M1G
+49dB
70Watt/CW
480×500×132.5
GaAs-FET
 ZEA5151-400M1G
+51dB
110Watt/CW
480×500×177
GaAs-FET


  1GHz～3GHz

Model
Gain
Output Power
(P1dB)
Size(W×D×H/mm)
Device
DataSheet
 ZEA4343-1G3G
+43dB
20Watt/CW
480×500×132.5
GaN-HEMT
 ZEA4545-1G3G
+45dB
30Watt/CW
480×500×132.5
GaN-HEMT
 ZEA4747-1G3G
+47dB
50Watt/CW
480×500×132.5
GaN-HEMT
 ZEA4949-1G3G
+49dB
80Watt/CW
480×500×132.5
GaN-HEMT
 


    放射電磁界試験／試験規格：ISO11452-2
 
  200MHz～1GHz

Model
Gain
Output Power
(P1dB)
Size(W×D×H/mm)
Device
DataSheet
 ZEA5353-200M1G
+53dB
200Watt/CW
PA：480×600×177
PS：480×600×88
GaAs-FET
 ZEA5555-200M1G
+55dB
350Waat/CW
ASK
GaAs-FET
 ZEA5757-200M1G
+57dB
500Watt/CW
ASK
GaAs-FET
 

  1GHz～2GHz
 
Model
Gain
Output Power
(P1dB)
Size(W×D×H/mm)
Device
DataSheet
 ZEA5252-1G2G
+52dB
150Watt/CW
480×500×132.5
GaN-HEMT
 ZEA5454-1G2G
+54dB
250Watt/CW
480×600×177
GaN-HEMT
 ZEA5656-1G2G
+56dB
400Watt/CW
PA：480×600×266
PS：480×600×132.5
GaN-HEMT


  2GHz～3200MHz

Model
Gain
Output Power
(P1dB)
Size(W×D×H/mm)
Device
DataSheet
 ZEA4848-2G3200M
+48dB
60Watt/CW
480×500×132.5
GaAs-FET
 ZEA5151-2G3200M
+51dB
100Watt/CW
480×600×177
GaAs-FET
 ZEA5353-2G3200M
+53dB
200Watt/CW
PA：480×600×266
PS：480×600×132.5
GaAs-FET